TS260F23CDT普通贴片石英晶振外观使用金属材料封装的,具有高稳定性,高可靠性的石英晶体振荡器,晶振外观本身使用金属封装,充分的密封性能,可确保其高可靠性,采用编带包装,外包装采用朔胶盘,可在自动贴片机上对应自动贴装等优势.CTS晶振ATSSMTS,TS250F23CET无源晶体
　CTS晶振ATSSMTS,TS250F23CET无源晶体，CTS ATSSMTS在经过验证的电阻焊接金属封装中集成了高Q石英谐振器。ATSSMTS提供紧密的稳定性选择，是支持广泛的商业和工业应用的理想选择。

CTS晶振规格	单位	ATSSMTS晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	25MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C - + 85°C	裸存
工作温度	T_use	-20°C - +70°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±20 × 10-6 (标准), (±30 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.taiheth.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-0°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	20PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	30 Ohms	-40°C —  +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±3 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

CTS晶振ATSSMTS,TS250F23CET无源晶体  尺寸图


TS250F23CET晶振  使用注意事项
清洗
关于一般清洗液的使用以及超声波清洗没有问题，但这仅仅是对单个石英晶振产品进行试验所得的结果，因此请根据实际使用状态进行确认。
由于音叉型石英晶体谐振器的频率范围和超声波清洗机的清洗频率很近，容易受到共振破坏，因此请尽可能避免超声波清洗。
若要进行超声波清洗，必须事先根据实际使用状态进行确认。CTS晶振ATSSMTS,TS250F23CET无源晶体
撞击
虽然贴片晶振产品在设计阶段已经考虑到其耐撞击性，但如果掉到地板上或者受到过度的撞击，以防万一还是要检查特性后再使用。
装载
SMD产品
SMD晶体产品支持自动贴装，但还是请预先基于所使用的搭载机实施搭载测试，确认其对特性没有影响。 在切断工序等会导致基板发生翘曲的工序中，请注意避免翘曲影响到产品的特性以及软焊。 基于超声波焊接的贴装以及加工会使得时钟晶体产品（谐振器、振荡器、滤波器）内部传播过大的振动，有可能导致特性老化以及引起不振荡，因此不推荐使用。
引线类型产品
当引线弯折、成型以及贴装到印制电路板时，请注意避免对基座玻璃部分施加压力。否则有可能导致玻璃出现裂痕，从而引起性能劣化。
保管
保管在高温多湿的场所可能会导致端子软焊性的老化。
请在没有直射阳光，不发生结露的场所保管。CTS晶振ATSSMTS,TS250F23CET无源晶体

质量政策
    平板电脑晶体振荡器与我们的员工一起开创并保持一个免于事故的工作场所。重视污染预防，消除偏离程序的行为强调通过员工努力这一最可行的方法持续改进我们经营活动的环境绩效。
    将持续的环境、健康和安全方面的改进、污染预防和员工的努力纳入日常运行当中。CTS晶振ATSSMTS,TS250F23CET无源晶体
    加强污染防治，减少现有的污染废弃物以及在未来生产制造中所产生的污染。
    CTS金属面晶振集团为确保安全、提高保护预防措施、产品的可靠性以及职业安全，确保职业健康与环境的优越性，通过正式的管理评审和对健康、安全和环境实施效果的持续改进，保护人群及财产与环境。
    CTS晶振集团建立一种可测量的发展和改进的目标指标，定期进行内审和管理评审。在现有的或新生的各种活动中不断监测和改进环境绩效。通过对生产活动的持续改进和促进对低效或无效的环境法律法规进行合理化转变，努力提高环境管理中资本的效力。
    将生产活动中的环境因素和环境影响的分析纳入我们的决策中来，确保活动中每一分子的运作和发展都体现对污染预防方针的贯彻。
    我们将定期对雇员进行教育和培训，确保他们能够安全高效的工作，树立他们的环保责任感。 与雇员、客户、公众、政府及关注公司环境绩效和持续改进计划的相关方进行充分开放的信息交流。

Manufacturer Part Number原厂编码	Manufacturer厂家	Series型号	Frequency	Size / Dimension 尺寸
TS220F23CDT	CTS晶振	ATSSMTS	22MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS220F23CET	CTS晶振	ATSSMTS	22MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS220F33CDT	CTS晶振	ATSSMTS	22MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS220F33CET	CTS晶振	ATSSMTS	22MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS221F23CDT	CTS晶振	ATSSMTS	22.1184MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS221F23CET	CTS晶振	ATSSMTS	22.1184MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS221F33CDT	CTS晶振	ATSSMTS	22.1184MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS221F33CET	CTS晶振	ATSSMTS	22.1184MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS240F23CDT	CTS晶振	ATSSMTS	24MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS240F23CET	CTS晶振	ATSSMTS	24MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS240F33CDT	CTS晶振	ATSSMTS	24MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS240F33CET	CTS晶振	ATSSMTS	24MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS24CF23CDT	CTS晶振	ATSSMTS	24.576MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS24CF23CET	CTS晶振	ATSSMTS	24.576MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS24CF33CDT	CTS晶振	ATSSMTS	24.576MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS24CF33CET	CTS晶振	ATSSMTS	24.576MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS250F23CDT	CTS欧美晶振	ATSSMTS	25MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS250F23CET	CTS晶振	ATSSMTS	25MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS250F33CDT	CTS晶振	ATSSMTS	25MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS250F33CET	CTS晶振	ATSSMTS	25MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS260F23CDT	CTS晶振	ATSSMTS	26MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS260F23CET	CTS晶振	ATSSMTS	26MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS260F33CDT	CTS晶振	ATSSMTS	26MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS260F33CET	CTS晶振	ATSSMTS	26MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS270F23CDT	CTS晶振	ATSSMTS	27MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS270F23CET	CTS晶振	ATSSMTS	27MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS270F33CDT	CTS晶振	ATSSMTS	27MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)
TS270F33CET	CTS晶振	ATSSMTS	27MHz	0.437" L x 0.190" W (11.10mm x 4.83mm)

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CTS晶振规格	单位	403晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	16 – 60MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C - + 85°C	裸存
工作温度	T_use	-20°C - +70°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±30 × 10-6 (标准), (±30 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.taiheth.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-0°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	3-5PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C —  +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±3 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年