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CMOS|X1G0029210069|50MHZ|SG-210SCD|EPSON|2520mm,尺寸为2520mm,频率50MHZ,电压2.7~3.6V,工作温度-20to70°C,支持CMOS输出,日本爱普生晶振,进口晶振,2520mm有源振荡器,SPXO晶体振荡器,CMOS输出晶振,低抖动晶振,高质量晶振,无线设备晶振,网络晶振,可穿戴设备晶振,仪器仪表晶振,蓝牙模块晶振,X1G0029210043晶振。
X1G0029210008有源振荡器产品主要应用无线设备,网络产品,可穿戴设备,仪器仪表,以及蓝牙模块等领域。CMOS|X1G0029210069|50MHZ|SG-210SCD|EPSON|2520mm
CMOS|X1G0029210069|50MHZ|SG-210SCD|EPSON|2520mm,参数图
CMOS|X1G0029210069|50MHZ|SG-210SCD|EPSON|2520mm 尺寸图
X1G0029210069晶振 特点
X1G0029210008有源振荡器产品主要应用无线设备,网络产品,可穿戴设备,仪器仪表,以及蓝牙模块等领域。CMOS|X1G0029210069|50MHZ|SG-210SCD|EPSON|2520mm
CMOS|X1G0029210069|50MHZ|SG-210SCD|EPSON|2520mm,参数图
项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 | |||||||||||||
SG-210SED | SG-210SDD | SG-210SCD | ||||||||||||||
输出频率范围 | 0 | 50.000 MHz ~ 80.000 MHz | 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 | |||||||||||||
电源电压 | VCC |
1.8 V Typ. 1.6 V ~ 2.2 V |
2.5 V Typ. 2.2 V ~ 3.0 V |
3.3 V Typ. 2.7 V ~ 3.6 V |
||||||||||||
储存温度 | T_stg | -40 oC ~ +125 °C | 裸存 | |||||||||||||
工作温度 | T_use | -40 oC ~ +85 °C | ||||||||||||||
频率稳定度 | f_tol | B : 50 × 10-6 , C : 100 × 10-6 | -20 oC ~ +70 oC | |||||||||||||
M : 50 × 10-6 , L : 100 × 10-6 | -40 oC ~ +85 oC | |||||||||||||||
功耗 | ICC | 6.0 mA Max. | 7.0 mA Max. | 8.0 mA Max. | 无负载条件 | |||||||||||
待机电流 | I_std | 10.0 µA Max. |
ST =GND |
|||||||||||||
占空比 | SYM | 45 % ~ 55 % | 50 % VCC 级别, L_CMOS 15 pF | |||||||||||||
输出电压 | VOH | VCC -0.4 V Min. | IOH=-8 mA(SCD,SDD),-4 mA(SED) | |||||||||||||
VOL | 0.4 V Max. | IOL= 8 mA(SCD,SDD), 4 mA(SED) | ||||||||||||||
输出负载条件(CMOS) | L_CMOS | 30 pF Max. | ||||||||||||||
输入电压 | VIH | 70 % VCC Min. | ST 终端 | |||||||||||||
VIL | 30 % VCC Max. | |||||||||||||||
上升/下降时间 | tr/ tf | 4 ns Max. | 20 % VCC ~ 80 % VCC 极 L_CMOS=15 pF | |||||||||||||
振荡启动时间 | t_str | 2 ms Max. | 在 90 % VCC 时,所需时间为 0 秒 | |||||||||||||
频率老化 | f_aging | 3 × 10-6 / year Max. | +25 °C, 第一年, VCC=1.8 V ,2.5 V, 3.3 V | |||||||||||||
10 × 10-6 / 10 years Max. | +25 °C, 10 年, VCC=1.8 V ,2.5 V, 3.3 V | |||||||||||||||
抖动*1 | DJ | 0.1 ps Typ. | 0.1 ps Typ. | 确定性抖动 | L_CMOS 15 pF | |||||||||||
RJ | 3.2 ps Typ. | 2.7 ps Typ. | 随机抖动 | |||||||||||||
RMS | 30 psTyp. | 25 psTyp. | 峰-峰值 | |||||||||||||
相位抖动 | PJ | 1.0 ps Max. |
频率偏移(频偏): 12 kHz ~ 20 MHz |
X1G0029210069晶振 特点
欧美共用:50mhz~80mhz
情况电源:1.8vtyp . /2.5vtyp. /3.3vtyp。
电流消耗:7.0 ma max。
(sdd2.5V无负载条件80mhz)
编码 | 品牌 | 型号 | 频率 | 尺寸 | 输出方式 | 电源电压 | 工作温度 |
X1G0029210002 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 75.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210008 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 75.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -20 to 70 °C |
X1G0029210017 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 74.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -20 to 70 °C |
X1G0029210019 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 66.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210022 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 62.500000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210029 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 61.895900 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210036 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 66.666600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210038 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 66.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -20 to 70 °C |
X1G0029210042 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 60.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -20 to 70 °C |
X1G0029210043 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 60.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210048 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 80.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210053 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 66.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -20 to 70 °C |
X1G0029210058 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 74.176000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210061 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 66.666700 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210062 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 66.660000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS输出晶振 | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210064 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 66.666000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210065 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 74.250000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210069 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 50.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -20 to 70 °C |
X1G0029210072 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 63.710000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -20 to 70 °C |
X1G0029210079 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 72.578300 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -20 to 70 °C |
X1G0029210080 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 63.111600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -20 to 70 °C |
X1G0029210082 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 62.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210083 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 59.800000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210085 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 63.360000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210086 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 50.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210087 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 54.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210088 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 77.700000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -40 to 85 °C |
X1G0029210094 | 爱普生晶振 | SG-210SCD | 63.071918 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | 2.700 to 3.600 V | -20 to 70 °C |
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