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美国GED晶振,6G无线设备晶振,SMD100.3C(E/D)-25.000MHz晶振,美国通用晶振公司,GED晶振,石英晶振,贴片晶振,四脚晶振,有源晶振,环保晶振,6G卫星晶振,6G通讯无源晶振,环保无铅晶振,表面贴装HCMOS/TTL兼容振荡器,HCMOS/TTL输出,5.0V供电电压,陶瓷SMD封装,可用于磁带和卷轴

美国GED晶振,6G无线设备晶振,SMD100.3C(E/D)-25.000MHz晶振
| 电气参数 | |
| 频率范围 | 1.0 to 133.000MHz |
| 频率容差 |
±20ppm ±25ppm ±50ppm ±100ppm |
| 工作温度 | 0°C to +70°C or –40°C to 85°C |
| 储存温度范围 | -55 ~ +125°C |
| 电源电压 | +5.0VDC ±10% |
| 输入电流 |
1.000MHz to 32.000MHz 20mA Max 33.000MHz to 49.000MHz 45mA Max 50.000MHz to 69.000MHz 50mA Max 70.000MHz to 133.000MHz 100mA Max |
| 对称性 | 50±10% Standard, 50±5% Available |
| 上升/下降时间 | 5nSeconds Typical, 10nSeconds Max |
| 5nSeconds Typical, 10nSeconds Max | |
| 输出电平 | VOL : 0.4V Max VOH : +2.4V Min |
| VOL : 0.5V Max VOH : VDD – 0.5V Min | |
| 输出负载 | CMOS, compatible, 1~10TTL Gates |
| 引脚1选项 | No connection Enable/Disable (Tristate) |
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美国GED晶振,6G无线设备晶振,SMD100.3C(E/D)-25.000MHz晶振


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