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XO振荡器511BBA148M500AAG提供从100kHz到250MHz的任何频率

来源:http://taiheth.com 作者:泰河盛电子 2023年05月25
美国Silicon晶振Si511 XO采用Skyworks Solutions的先进DSPLL技术,提供从100kHz到250MHz的任何频率。与传统的XO不同,其中每个输出频率需要不同的晶体,Si511差分晶振使用一个固定晶体和Skyworks Solutions的专有DSPLL,合成器,以生成该范围内的任何频率。此IC基于,该方法允许晶体谐振器提供增强的可靠性,改进的机械坚固性和优异的稳定性。此外,该解决方案提供卓越的电源噪声抑制,简化了低抖动时钟在嘈杂的环境中生成。晶体ESR和DLD分别为,经过生产测试,以保证性能并提高可靠性。Si511石英晶体振荡器在工厂可配置用于各种各样的用户规范,包括频率、电源电压、输出格式、输出使能极性,以及稳定性。具体配置在,装运,消除了长交付周期和非经常性工程费用,与自定义频率振荡器关联。应用于:SONET/SDH/OTN,千兆以太网,光纤通道/SAS/SATA,PCI Express,3G-SDI/HD-SDI/SDI,电信,交换机/路由器,FPGA/ASIC时钟生成。XO振荡器511BBA148M500AAG提供从100kHz到250MHz的任何频率
进口贴片晶振 品牌 型号 频率 电压 频率稳定度
511FBA125M000BAG Silicon晶振 Si511 125MHz 2.5V ±25ppm
511BBA100M000AAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
511BBA148M500BAG Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511ABA156M250AAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA200M000BAG Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
511BBA100M000BAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
511BBA125M000BAG Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
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511BBA000110BAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511BBA148M500AAG Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA200M000BAG Silicon晶振 Si511 200MHz 2.5V ±25ppm
511FBA200M000AAG Silicon晶振 Si511 200MHz 2.5V ±25ppm
511ABA25M0000BAG Silicon晶振 Si511 25MHz 3.3V ±25ppm
511FCA100M000BAG Silicon晶振 Si511 100MHz 2.5V ±20ppm
511BCA100M000BAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±20ppm
511BBA74M2500BAG Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA156M250BAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA156M250AAGR Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA100M000BAG Silicon晶振 Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250BAG Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA000149BAG Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
511FBA106M250BAG Silicon晶振 Si511 106.25MHz 2.5V ±25ppm
511BBA125M000AAG Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
511FBA100M000AAG Silicon晶振 Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250AAG 进口晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA148M500BAG Silicon晶振 Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA156M250BAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA156M250BAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 2.5V ±25ppm
511BBA156M250AAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA155M520AAG Silicon晶振 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
511BBA155M520AAG Silicon晶振 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000149BAG Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
511ABA106M250BAG Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA74M2500BAG Silicon晶振 Si511 74.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA000149BAG Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
511FBA106M250AAG Silicon晶振 Si511 106.25MHz 2.5V ±25ppm
511FBA000149AAG Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
511ABA74M2500AAG Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA000149AAG Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
511FBA74M2500AAG Silicon晶振 Si511 74.25MHz 2.5V ±25ppm
511BBA000149AAG Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
511FBA155M520BAG Silicon晶振 Si511 155.52MHz 2.5V ±25ppm
511ABA000110BAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511ABA148M500BAG Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511ABA155M520BAG Silicon晶振 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
511FBA155M520AAG Silicon晶振 Si511 155.52MHz 2.5V ±25ppm
511ABA148M500AAG Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
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511FBA156M250AAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 2.5V ±25ppm
511FBA212M500BAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 2.5V ±25ppm
511ABA200M000BAG Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
511ABA212M500AAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511SAA100M000AAG Silicon晶振 Si511 100MHz 1.8V ±50ppm
511FBA125M000AAG Silicon晶振 Si511 125MHz 2.5V ±25ppm
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511ABA100M000BAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
511BBA200M000AAG Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
511ABA74M2500BAG Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA74M2500AAG Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA106M250AAG Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA155M520BAG Silicon晶振 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000110BAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 2.5V ±25ppm
511ABA000110AAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511BBA000110AAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000110AAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 2.5V ±25ppm
511ABA212M500BAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA212M500BAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA212M500AAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA212M500AAG 有源晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511ABA200M000AAG Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
511SBA156M250BAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 1.8V ±50ppm
511ABA100M000BAGR Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
511ABA125M000BAGR Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
511BBA100M000BAGR Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
511BBA125M000BAGR Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
511FBA100M000BAGR Silicon晶振 Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511FBA125M000BAGR Silicon晶振 Si511 125MHz 2.5V ±25ppm
511ABA106M250BAGR Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA106M250BAGR Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA106M250BAGR Silicon晶振 Si511 106.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA000149BAGR Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
511ABA74M2500BAGR Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
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511BBA74M2500BAGR Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000149BAGR Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
511FBA74M2500BAGR Silicon晶振 Si511 74.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA100M000AAGR Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
511ABA125M000AAGR Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
511BBA100M000AAGR Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
511BBA125M000AAGR Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
511FBA100M000AAGR Silicon晶振 Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
XO振荡器511BBA148M500AAG提供从100kHz到250MHz的任何频率
Si511系列特征:
支持来自的任何频率100KHz至250MHz,
低抖动操作,2到4周的交付周期,
完全稳定性包括10年老化,
全面的生产测试覆盖范围包括晶体ESR和DLD
电源噪声滤波器的片上LDO调节器
工作电压:
3.3、2.5或1.8V贴片晶振
差分器(LVPECL,LVDS, HCSL)或CMOS输出选项,
可选集成1:2 CMOS扇频缓冲区
快速抑制OE和接通电源
行业标准7.0x5.0mm,5.0x3.2mm,和3.2x2.5mm封装
无铅,符合RoHS标准,
工作温度:-40℃至+85℃


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