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ARGO晶振 ARGO晶振公司是专业提供和设计波段频率控制设备和微波无线通信零部件.我们还分销日本,欧洲和美国的一些知名品牌零部件.我们致力于发展与计算机,IT和无线通信公司无任何界限的信息时代.我们秉承经营者的踏实,诚恳的态度,互惠互利的精神,实现共赢的目标,以诚信为本,诚信为本,公平交易为宗旨,以诚信,勤勉,诚信,精神质量第一,客户满意的经营理念,将以优良的产品质量,优惠的价格,优质的服务与您建立长期稳定的合作关系,共创辉煌事业.
- 产品型号：73548565
- 晶振频率：1.800~160.000MHZ
- 晶振尺寸：5.0*7.0*0.55mm
- 产品应用： 无线通信,智能手机,平板笔记本,计算机,全球GPS定位系统,WLAN网络产品等...
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加高晶振,HSO751S晶振,加高晶体振荡器,日本进口晶振
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加高晶振,HSO751S晶振,加高晶体振荡器,日本进口晶振,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计。从最初超大体积到现在的7050mm石英晶振,6035mm石英晶振,5032mm石英晶振,3225mm石英晶振,2520mm石英晶振,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,Optionable待机输出三态输出功能.电源电压范围：1.8V~5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
| 晶振各项参数 | 符号 | HSO751S石英晶体振荡器参数规格说明 | 需知条件 |
| 额定频率范围 | f_nom | 1.800MHz ~ 160.000MHz |
基频 对于超出标准的规格说明， 请联系我们以便获取相关信息。 |
| 储存温度 | T_stg | -55°C ~ +125°C | 裸存 |
| 工作温度 | T_use | -10°C ~ +70°C | |
| 激励功率 | DL | 10µW typ.(100µW Max.) | 推荐:1µW ~ 100µW |
| 电源电压 | V_ | +2.5 V (±10%) +2.85 V (±10%) +3.3 V (±10%) +5 V (±10%) | |
| 频率温度特征 | f_tem |
±10 ppm,±20 ppm,±30 ppm或±50 ppm(-20 + 70°C) ±30 ppm或±50 ppm(-40 + 85°C) |
对于超出标准的规格说明， 请联系我们以便获取相关的信息。 |
| 负载电容 | CL | 15pF, 30pF, 50pF Max. |
对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息. |
| 串联电阻（ESR） | R1 | 如下表所示 |
-40°C to +85°C, DL = 100µW |
| 频率老化 | f_age | ±3 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
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1.驱动能力
驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下：
驱动能力(P)=i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且Re=R1（1+Co/CL）2.
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2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡.为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻.
3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示.电路中的负载电容的近似表达式CL≒CG×CD/（CG+CD）+CS.
其中CS表示电路的杂散电容.
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深圳泰河电子公司主要生产产品为全系列石英晶体振荡子即:石英晶体谐振器,(DIP晶体和贴片晶振).石英晶体振荡器(SMD OSCILLATOR) 和石英晶振控制振荡器(SMD晶振VCXO压控晶振).泰河电子公司拥有超过10年以上的生产经验.秉持着持续开发与专业技术支持.提供使用者最佳的解决方案及最好的服务品质.产品广泛用于移动通讯机,数字电视,计算机周边产品,数码产品,GPS,通信基站.等高科技产品.其中我司的SMD陶瓷中频滤波器,SMD陶瓷谐振器等晶振,在通讯机和高档次游戏机上使用时与日本村田（MURATA）公司性能兼容,体积小,高性能,超薄型.我们拥有日本先进生产技术和技术人员,从韩国SANSUNG公司,SUNIC公司,日本HAMAI公司引进划片,成模,研磨,检测.等高精密的自动设备,构造成现代化完美的机械化生产线,从而提高了产品合格率、可靠性、一致性，成本大大降低.同时,我们还拥有一支服务诚恳,兢兢业业,及具竞争意识的销售团队,产品主要销往新加坡,马来西亚,巴西,澳大利亚,美国,加拿大等国家.我们的销售与生产完美的融为一体.
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