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进口晶振

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    加高晶振,HSO751S晶振,加高晶体振荡器,日本进口晶振

  • 产品型号:73548565
  • 晶振频率:1.800~160.000MHZ
  • 晶振尺寸:5.0*7.0*0.55mm
  • 产品应用: 无线通信,智能手机,平板笔记本,计算机,全球GPS定位系统,WLAN网络产品等...

  
加高晶振,HSO751S晶振,加高晶体振荡器,日本进口晶振,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计。从最初超大体积到现在的7050mm石英晶振,6035mm石英晶振,5032mm石英晶振,3225mm石英晶振,2520mm石英晶振,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,Optionable待机输出三态输出功能.电源电压范围:1.8V~5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

晶振各项参数 符号 HSO751S石英晶体振荡器参数规格说明 需知条件
额定频率范围 f_nom 1.800MHz ~ 160.000MHz 基频
对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关信息。
储存温度 T_stg -55°C ~ +125°C 裸存
工作温度 T_use -10°C ~ +70°C  
激励功率 DL 10µW typ.(100µW Max.) 推荐:1µW ~ 100µW
电源电压 V_ +2.5 V (±10%)     +2.85 V (±10%) +3.3 V (±10%)     +5 V (±10%)  
频率温度特征 f_tem ±10 ppm,±20 ppm,±30 ppm或±50 ppm(-20 + 70°C)
±30 ppm或±50 ppm(-40 + 85°C)
对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息。
负载电容 CL 15pF, 30pF, 50pF Max. 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息.
串联电阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C to +85°C, 
DL = 100µW
频率老化 f_age ±3 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年



  1.驱动能力
驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:
 驱动能力(P)=i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且Re=R1(1+Co/CL)2.

2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡.为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻.

3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示.电路中的负载电容的近似表达式CL≒CG×CD/(CG+CD)+CS.
其中CS表示电路的杂散电容.


  深圳泰河电子公司主要生产产品为全系列石英晶体振荡子即:石英晶体谐振器,(DIP晶体和贴片晶振).石英晶体振荡器(SMD OSCILLATOR) 和石英晶振控制振荡器(SMD晶振VCXO压控晶振).泰河电子公司拥有超过10年以上的生产经验.秉持着持续开发与专业技术支持.提供使用者最佳的解决方案及最好的服务品质.产品广泛用于移动通讯机,数字电视,计算机周边产品,数码产品,GPS,通信基站.等高科技产品.其中我司的SMD陶瓷中频滤波器,SMD陶瓷谐振器等晶振,在通讯机和高档次游戏机上使用时与日本村田(MURATA)公司性能兼容,体积小,高性能,超薄型.我们拥有日本先进生产技术和技术人员,从韩国SANSUNG公司,SUNIC公司,日本HAMAI公司引进划片,成模,研磨,检测.等高精密的自动设备,构造成现代化完美的机械化生产线,从而提高了产品合格率、可靠性、一致性,成本大大降低.同时,我们还拥有一支服务诚恳,兢兢业业,及具竞争意识的销售团队,产品主要销往新加坡,马来西亚,巴西,澳大利亚,美国,加拿大等国家.我们的销售与生产完美的融为一体.

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