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XO75LVDS-200M000-B50B1|200MHz|3.3V|富通差分晶振,富通晶振,XO75LVDS差分晶振,进口有源晶振,XO75LVDS-200M000-B50B1晶振,六脚贴片晶振,7050mm晶振,LVDS输出晶振,石英晶体振荡器,频率200MHz,电压3.3V,频率稳定性50ppm,工作温度-40~85°C,无内部锁相环晶振,无铅环保晶振,高品质晶振,智能设备晶振,网络附属存储晶振,固态硬盘晶振,通用处理器晶振.
XO75LVDS-200M000-B50B1|200MHz|3.3V|富通差分晶振特点:
-符合RoHS标准(无铅),LVDS兼容信号
-固有低功率和低电磁干扰发射
-极低相位抖动,无内部锁相环,避免级联锁相环问题
-免费输出,三状态启用/禁用标准,7x5x2 mm SMD封装
-符合RoHS标准(无铅),LVDS兼容信号
-固有低功率和低电磁干扰发射
-极低相位抖动,无内部锁相环,避免级联锁相环问题
-免费输出,三状态启用/禁用标准,7x5x2 mm SMD封装
XO75LVDS-200M000-B50B1|200MHz|3.3V|富通差分晶振规格表
frequency | 200 MHz |
Input Voltage (Vcc)
|
3.3 VDC
|
Input Current
|
50mA Maximum (at 3.3V)
|
Storage Temperature
|
-55°C to 125°C
|
Overall Frequency Stability
|
± 50 ppm
|
OperatingTemperature Range
|
-40°C to 85°C
|
Standard Stability
|
50A = ±50 ppm / 0°C to 70°C
|
Electric Option (Symmetry)
|
Tristate 60/40%
|
Output Load
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100 Ohms across differential outputs (Offset 1.25V Typ)
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Logic "1" / Logic "0" Level
|
1.43V Typ / 1.10V Typ
|
Rise/Fall Time (Tr/Tf)
|
0.7 ns Maximum at 20% to 80% Vp-p
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Start-up time
|
5 ms Maximum
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Phase Jitter (RMS, 1 Sigma)
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1 ps Max for fj > 1KHz; 0.3 ps Typical for fj = 12KHz to 20MHz
|
Tristate Function
|
Input (Pin 1) High (> 0.7Vcc) or open: Output (Pin 4, 5) active
Input (Pin 1) Low (< 0.3Vcc): Output disabled in high impedance
|
Enable/Disable Time
|
2 ms Maximum - Enable; 200 ns Maximum - Disable
|
XO75LVDS-200M000-B50B1|200MHz|3.3V|富通差分晶振尺寸图